晶體管MOSFET有三個極，分別是源極（S）、柵極（G）和漏極（D）。它們能有效控制源極和漏極觸點之間的電流流動，通過柵極加電壓?？赏ㄟ^改變電壓使電通道出現(xiàn)或消失；相應地，也能使電氣元件接通或關閉。使用半導體可使不同類的雜質(zhì)隔離。這意味著攜帶不同信號的電荷可有效隔絕，形成障壁，阻止電荷的區(qū)域間流動。
晶體管MOSFET
電流從柵極到源極的傳遞將導致電流從漏極流向源極。當沒有電流通過或通過電流較小時，漏極-源極電阻勢必會很大。但應當明確，微控制器工作電壓為5v或3.3v時，與微控制器配套的MOSFET可能需要10-15的柵極和源極電勢差，以使漏極和源極之間電阻達到最低水平。
晶體管MOSFET柵極和源極之間的電容可防止不同狀態(tài)間的迅速切換。內(nèi)部電容上電壓的快速變化需要大電流。它必須在變化（源極）和放電（槽）之間進行自動切換。柵極所加電壓的改變會導致漏極和源極間電阻的同時改變。電壓的高低將與電阻的大小直接相關。功率MOSFET針對大功率級應用設計。
MOSFET晶體管的不同類型
PMOS邏輯
如前所述，MOSFET的集成實現(xiàn)了相較于BJT的高電路效率。P通道MOSFET能夠與PMOS邏輯一同實現(xiàn)數(shù)字電路和邏輯門。
NMOS邏輯
除了N通道MOSFET應用于邏輯門和相關數(shù)字電路之外，NMOS邏輯和PMOS邏輯類似。一般情況下，N通道MOSFET可能比P通道MOSFET更小型，從而在某些情況下更具吸引力。但NMOS邏輯有持續(xù)功耗，而PMOS邏輯沒有。
CMOS邏輯
互補金屬氧化物半導體（CMOS）邏輯是一種集成電路生產(chǎn)技術。此類電路廣泛應用于各種電氣組件，并能發(fā)電。P通道和N通道MOSFET均與互聯(lián)的柵極和漏極聯(lián)用，從而降低功耗，減少余熱產(chǎn)生。
耗盡型MOSFET器件
耗盡型MOSFET器件在MOSFET器件中較不常見。耗盡型MOSFET器件通道電阻小，一般認為通道"開啟"。當設定為無功耗狀態(tài)時，這些開關將根據(jù)自身設計工作。通道電阻呈線性關系，在信號幅度范圍內(nèi)失真低。
MISFETs
所有MOSFET均屬于MISFET（金屬絕緣層半導體場效應晶體管），但并非所有的MISFET均屬于MOSFET。這類組件內(nèi)的門邏輯絕緣層為MOSFET中所用的二氧化硅，但也可能使用其他材料。門邏輯位于柵極下方，MISFET通道上方。
浮柵MOSFET（FGMOS）
浮柵MOSFET有一個額外的電絕緣浮柵。它能在直流電中生成一個浮動節(jié)點，同時在浮柵上方生成一系列輔助柵輸入。在其眾多用途中，F(xiàn)GMOS通常用作浮柵存儲單元。
功率MOSFET
功率MOSFET為垂直結(jié)構(gòu)，而非平面結(jié)構(gòu)。這一結(jié)構(gòu)使功率MOSFET能同時保持高阻塞電壓和高電流。該晶體管的額定電壓與N溝道外延層的摻雜和厚度直接相關，額定電流由通道寬度決定。組件區(qū)域和這類器件維持的電流大小間也有直接的聯(lián)系。功率MOSFET具有低柵驅(qū)動功能、迅速的切換速度和先進的并聯(lián)功能。
DMOS
功率MOSFET是雙擴散金屬氧化物半導體，有橫向和縱向兩種。大多數(shù)功率MOSFET利用該技術構(gòu)造。
MOS電容器
這類電容器結(jié)構(gòu)同MOSFET，且MOS電容器兩側(cè)有雙P-N端。MOS電容器通常用作內(nèi)存芯片存儲電容器并為圖像傳感器技術中的電荷耦合元件（CCD）提供支持。
TFT
薄膜晶體管（TFT）是一種特殊的MOSFET。其中的不同之處在于薄膜晶體管（TFT）涉及半導體薄膜，以及邏輯層和金屬觸點在支撐基板上的沉積。使用的半導體材料各式各樣，其中硅最常用。它可以做到高透明度，用于生產(chǎn)視頻顯示面板。
雙極MOS晶體管
BiCMOS是一種集BJT和CMOS晶體管于一個單芯片上的集成電路。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功能類似于MOSFET和雙極結(jié)型晶體管（BJT）。
MOS傳感器
當前已成功研發(fā)出一系列MOS傳感器，可精確測量物理、化學、生物和環(huán)境變量。開柵FET（OGFET）、離子敏場效應晶體管（ISFET）、氣體傳感器FET、電荷流動晶體管（CFT）及酶場效應晶體管等都屬于MOS傳感器。電荷耦合元件（CCD）和有源像素傳感器（CMOS傳感器）等常用于數(shù)字成像。
多柵極場效應晶體管
雙柵MOSFET有四極管配置，電流大小由兩個柵極控制。雙柵MOSFET常用于射頻應用中的小信號器件，降低與密勒效應相關的增益耗損。這一點當共源共柵配置中的單獨晶體管更換時可實現(xiàn)。
RHBD
這種環(huán)形柵晶體管常用于制作抗輻射加固設計（RHBD）器件。MOSFET的柵極通常圍繞著漏極。漏極靠近ELT的中心。如此，MOSFET的源極圍繞柵極。H柵極是另一種類型的MOSFET，確保了最低的輻射泄露。
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